芯长征科技有限公司

产品中心

VD MOSFET

SiC Diode

IGBT

SJ MOSFET

IGBT module

IPM

FRD

PIM

SGT MOSFET

Trench MOSFET

VD MOSFET

芯长征的VD MOSFET——兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点，无论是开关应用还是线形应用，VDMOS都是理想的功率器件。

芯长征VD MOSFET，采用条形元胞结构，通过在工艺上对N-JFET的调整，减小JFET效应，使器件的导通电阻减小，从而降低了器件工作时的温升，提高了系统的转换效率，同时在EAS能力方面具有较大优势，产品的电压覆盖范围500V~800V，电流覆盖2A~25A，可提供更多的产品选择。

产品特点

·低Crss和低Qg, 降低开关损耗；

·低导通阻抗，降低导通损耗；

·高抗浪涌能力

产品

Part Number	Package	VDSS(V)	ID(A)@25℃	V(GS)th(V)@250μA		RDS(on)(Ω)@VGS=10V 25℃	QG(nC)
Part Number	Package	VDSS(V)	ID(A)@25℃	min	max	typ	QG(nC)
	TO-220F	500	5	2	4	1.2	16
MPVX5N50CCFD	TO-251、TO-252	500	5	3.5	5	1.4	14.5
‍	TO-220F	500	8	3	5	0.76	32
	TO-220F	500	13	2	4	0.46	41
MPVA13N50F	TO-220F	500	13	2	4	0.36	36
MPVX13N50B	TO-220F、TO-220	500	13	2	4	0.38	36
	TO-220F、TO-220	500	14	2	4	0.39	38
MPVX18N50B	TO-220F、TO-220 TO-247 、TO-3P	500	18	3	4	0.26	73
MPVX20N50B	TO-220F TO-220 TO-247 TO-3P	500	20	3	4	0.24	75
MPVA20N50F	TO-220F	500	20	2	4	0.21	60
	TO-220F	600	2	2	4	3.9	8.4
	TO-220	600	2	2	4	3.9	8.4
	TO-126	600	2	2	4	3.9	8.4
	TO-252	600	2	2	4	3.9	8.4
	TO-251	600	2	2	4	3.9	8.4
MPVX2N60B	TO-220F、TO-220 TO-251、TO-252 TO-126	600	2	2	4	3	6.3
	TO-220 TO-252	600	3	2	4	2.9	9.3
	TO-220F	600	4	2	4	2.1	12
	TO-252	600	4	2	4	2.1	12
	TO-251	600	4	2	4	2.1	12
	TO-220F、TO-220 TO-262、TO-251 TO-252 、TO-263	600	4	2	4	2.1	12
	TO-220F	600	7	2	4	1.2	20
	TO-220F、TO-220 TO-262、TO-251 TO-252、TO-263	600	7	2	4	1	21
	TO-220F TO-220 TO-262 TO-251 TO-252 TO-263	600	7	3	4	1.1	28
	TO-220	600	8	2	4	——	20
‍	TO-220F	600	10	2	4	0.6	35
	TO-220	600	10	2	4	0.6	35
MPVX10N60B	TO-220F、TO-220 TO-262、TO-263	600	10	3	4	0.7	33
	TO-220	600	12	2	4	0.55	42
MPVX12N60B	TO-220F 、TO-220 TO-262、TO-263	600	12	3	4	0.6	44
	TO-220F	650	2	2	4	4.1	8.4
	TO-220	650	2	2	4	4.1	8.4
	TO-252	650	2	2	4	4.1	8.4
	TO-251	650	2	2	4	4.1	8.4
	TO-252	650	2	2	4	4.5	14.5
	TO-251	650	2	2	4	4.5	14.5
MPVA2N65BL	TO-220F	650	2	2	4	3.9	7.2
MPVA2N65BL	TO-220F	650	2	2	4	3.9	7.2
	TO-220F TO-251 TO-252	650	2	2	4	4	6.3
	TO-252	650	4	2	4	2.1	12
	TO-251	650	4	2	4	2.1	12
	TO-220F	650	4	2	4	2.1	12
	TO-220F、TO-220 TO-262、TO-251 TO-252 、TO-263	650	4	2	4	2.4	10
MPVX4N65F	TO-220F、TO-251	650	4	2	4	2.3	11
	TO-220F TO-220 TO-251 TO-252	650	5	2	4	2	5.3
	TO-220F	650	7	2	4	1.35	20
	TO-252	650	7	2	4	1.35	20
	TO-251	650	7	2	4	1.35	20
	TO-220F 、TO-220 TO-262、 TO-251 TO-252 、TO-263	650	7	2	4	1.1	20
MPVA7N65F	TO-220F	650	7	2	4	1.1	19
MPVD7N65F	TO-252	650	7	2	4	1.2	19
	TO-220F	650	8	2	4	1.18	20
	TO-252	650	8	2	4	1.18	20
	TO-220F	650	8	2	4	1.1	20
	TO-252	650	10	2	4	0.75	35
MPVA10N65F	TO-220F	650	10	2	4	0.82	29
	TO-220F	650	10	2	4	0.75	35
	TO-220	650	10	2	4	0.75	35
MPVX10N65B	TO-220F 、TO-220 TO-262 、TO-263	650	10	2	4	0.85	33
	TO-220F	650	12	2	4	0.58	42
	TO-220	650	12	2	4	-	42
MPVX12N65B	TO-220F、TO-220 TO-262、TO-263	650	12	2	4	0.65	38
MPVA12N65F	TO-220F	650	12	2	4	0.62	36
MPVA20N65F	TO-220F	650	20	2	4	0.38	60
MPVX20N65B	TO-220F TO-220	650	20	2	4	0.35	60
MPVX20N65F	TO-220F TO-220	650	20	2	4	0.38	60
	TO-220F TO-251 TO-252	700	4	3	5	2.5	15.5
MPVX4N70F	TO-220F TO-251 TO-252	700	4	2	4	2.9	11
	TO-220F TO-251 TO-252	700	5.5	3	5	1.6	17.5
	TO-220F TO-251 TO-252	700	8	2	4	1.1	30
	TO-220F	700	10.5	2	4	0.85	50
	TO-220F	800	3	2	4	2.8	16
	TO-252	800	3	2	4	2.8	16
	TO-251	800	4	2	4	2.5	19
	TO-252	800	4	2	4	2.5	19
	TO-220F	800	4	2	4	2.5	19
	TO-220F	800	7	2	4	1.6	27
	TO-220F	800	10	2.5	5	0.93	58
	TO-3P	900	9	3	5	0.9	59
	TO-220F TO-247 TO-3PF	1500	4	3	5	4	39

SiC SBD

芯长征的SiC SBD可实现Si FRD无法实现的极短反向恢复时间，且反向恢复特性几乎不受温度变化影响，实现器件的高速开关。

芯长征的SiC SBD，其导通过程中没有额外载流子的注入和储存，反向恢复电荷量（Qrr）小，可降低开关损耗。SiC SBD弥补了Si SBD的不足，是高压快速与低功率损耗、耐高温相结合的理想器件。

产品特点

·反向恢复电荷少，开关损耗低；

·反向恢复时间短，实现高速开关

产品

Part Number	Package	VRRM (V)	IF(A)			VF(V)@ 25℃ typ	QG(nC) typ	Technology
Part Number	Package	VRRM (V)	@ 135℃	@ 150℃	@ 158℃	VF(V)@ 25℃ typ	QG(nC) typ	Technology
	TO-220-2 TO-252-2	650	-	-	2	1.4	5.4	SiC
	TO-220-2	650	-	-	3	1.4	7.7	SiC
	TO-220F-2	650	-	-	3	1.4	7.7	SiC
	TO-252-2	650	-	-	3	1.4	7.7	SiC
	TO-220F-2 TO-220-2 TO-252-2	650	-	-	3	1.4	7.7	SiC
	TO-220-2	650	6	-	-	1.4	18	SiC
	TO-220F-2	650	-	6	-	1.4	18	SiC
	TO-252-2	650	-	6	-	1.4	18	SiC
	TO-220F-2 TO-220-2 TO-252-2	650	-	8	-	1.42	26	SiC
	TO-220-2 TO-252-2	650	-	10	-	1.5	25	SiC
	TO-220-2	650	-	15	-	1.4	33	SiC
	TO-247-2	650	-	30	-	1.5	67	SiC
	TO-220-2	1200	-	-	6	1.58	19	SiC
	TO-220-2	1200	-	10	-	1.6	30	SiC
	TO-220-2 TO-247-2	1200	-	-	15	1.5	50	SiC
	TO-247-2	1200	-	-	20	1.5	59	SiC
	TO-247-3	1200	-	10	-	1.6	30	SiC
	TO-247-3	1200	-	15	-	1.5	50	SiC
	TO-247-3	1200	-	20	-	1.6	59	SiC

IGBT

芯长征IGBT采用先进的沟槽栅场截止(Trench FS)技术，结合国际领先的工艺平台，致力于为客户提供稳定可靠，性能优良的产品。

芯长征的IGBT针对不同应用领域的特殊需求，对静态参数、动态参数和短路参数进行优化折中以实现最佳性能。芯长征目前提供600V~1200V电压等级的IGBT单管，封装形式包括TO-220、TO220-FP、TO-247、TO-3P、TO-247PLUS、TO-263和TO-264等，适用于逆变焊机、通用变频、电机控制、不间断电源、太阳能逆变器等应用。

产品特点

·较低的饱和压降，较快的开关速度，较强的短路承受能力；

·阈值电压和饱和压降等参数一致性好，饱和压降为正温度系数，易于并联使用；

·可靠性高，最大结温150℃~175℃；

·内置反向恢复特性良好的快恢复二极管

产品

Part Number	Package	VCE(V)	IC(A)@100℃	VGE(th)(V)	VCE(sat) (V)@VGE=15V 25℃	With FRD（Y/N）
Part Number	Package	VCE(V)	IC(A)@100℃	typ	typ	With FRD（Y/N）
	TO-220F	600	10	5.4	1.8	Y
	TO-263	600	10	5.4	1.8	Y
	TO-220	600	10	5.4	1.8	Y
	TO-220F	600	12.6	5.8	1.7	Y
	TO-263	600	20	5.8	1.7	Y
	TO-220	600	23	5.8	1.7	Y
	TO-220F	600	20	5.4	1.7	Y
	TO-220	600	20	5.4	1.7	Y
	TO-3P	600	20	5.4	1.7	Y
	TO-3P	600	20	5.4	1.7	Y
	TO-220F	600	20	5.8	1.8	Y
	TO-247	600	25	5.9	1.7	Y
	TO-3P	600	40	5.7	1.8	Y
	TO-247	600	40	5.7	1.8	Y
	TO-247	600	40	5.9	1.8	Y
	TO-247	600	40	5.9	1.8	Y
	TO-247	600	60	5.7	1.8	Y
	TO-247	600	60	6	1.8	Y
	TO-247	600	60	6	2.1	Y
	TO-220F	650	10	5.4	1.8	Y
	TO-220F	650	12.6	5.8	1.7	Y
	TO-263	650	20	5.8	1.7	Y
	TO-247	650	40	5.9	1.8	Y
	TO-247	650	40	5.7	1.9	Y
	TO-247	650	40	5.7	1.9	N
MPBW40N65BH	TO-247	650	40	5.8	1.9	Y
MPBW50N65EH	TO-247	650	50	5.5	1.6	Y
MPBW50N65EC	TO-247	650	50	5.5	1.6	Y
MPBW15N120B	TO-247	1200	15	5.5	1.9	Y
MPBW15N120BF	TO-247	1200	15	6	1.8	Y
	TO-247	1200	25	6	2.2	Y
MPBW25N120BF	TO-247	1200	25	6	1.9	Y
MPBW30N120E	TO-247	1200	30	5.8	1.6	Y
	TO-247	1200	40	6	1.9	Y
	TO-264	1200	40	6	1.9	Y
MPBW40N120BF	TO-247	1200	40	5.8	1.85	Y
MPBL50N120B‍F	TO-264	1200	50	5.8	2	Y
MPBQ50N120B	TO-247 Plus	1200	50	5.8	1.8	Y
	TO-264	1200	75	6	1.9	Y
MPBQ75N120BF	TO-247 Plus	1200	75	5.8	1.9	Y

SJ MOSFET

芯长征的SJ MOSFET是一种新颖的中高压单极性功率器件，主要通过采用电荷平衡技术来实现极低的导通电阻性能，目前是电源领域最有生命力的功率器件。

芯长征的SJ MOSFET，通过采用多次外延技术实现了极低导通电阻RDSON和FOM优值(RDSON*Qg)，应用中可减少系统功率损耗并提高其转换效率，并且通过采用寿命控制技术对部分产品体二极管反向恢复特性进行了优化，实现了高性能和优异反向恢复特性产品。目前可提供电压范围600V~800V，电流范围4A~100A的系列产品。

产品特点

·外层外延工艺，改善EMI；

·低FOM值，降低导通和开关损耗；

·高EAS能力，优异反向恢复特性

产品

Part Number	Package	VDSS(V)	ID(A)@ 25℃	V(GS)th (V) typ	RDS(on)(Ω)@ VGS=10V 25℃ max	QG(nc)
	TO-247	600	66	3-4	0.041	140
MPSW60M043CFD	TO-247	600	66	3-5	0.043	140
MPSX60M082	TO-220F TO-247	600	43	3-4	0.082	72
MPSW60M086CFD	TO-247	600	43	3-5	0.086	72
	TO-247	600	26.6	2-4	0.115	65
	TO-247	600	21.4	2-4	0.15	50
	TO-220F TO-220 TO-262 TO-263 TO-247	600	20	2.5-3.5	0.16	38.5
MPSA60M160CFD	TO-220F	600	20	3-5	0.16	42
MPSC60M160CFD	TO-263	600	20	3-5	0.16	42
	TO-220F	600	17.6	2-4	0.19	40
	TO-247	600	17.6	2-4	0.19	40
	DFN8×8	600	18.6	2-4	0.195	40
	TO-220F	600	15	2-4	0.24	27
MPSA60M250CFD	TO-220F	600	15	3-5	0.25	27
	TO-220F TO-220 TO-251 TO-252	600	11	3-4	0.37	20
	TO-220F	600	10.9	2-4	0.35	22.6
	TO-252	600	10.9	2-4	0.35	22.6
	TO-220F TO-220 TO-251 TO-252	600	8	3-4	0.6	13.4
	TO-220F TO-220 TO-251 TO-252	600	6	2.5-4.5	0.76	10.4
	TO-251	600	5	2-4	0.9	9.3
	TO-252	600	5	2-4	0.9	9.3
	TO-220F	600	5	2-4	0.9	9.3
	TO-220F TO-220 TO-251 TO-252	600	4	2.5-4.5	0.94	8.8
	TO-247	650	64.9	2-4	0.045	186
MPSW65M046CFD	TO-247	650	62	3-5	0.046	143
MPSW65M092CFD	TO-247	650	41	3-5	0.092	72
	TO-247	650	29.1	2-4	0.11	75
	TO-220F	650	29.1	2-4	0.11	75
	TO-247	650	25	2-4	0.13	65
	TO-220F	650	25	2-4	0.13	65
	TO-220F	650	20.4	2-4	0.165	50
	TO-247	650	20.4	2-4	0.165	50
	TO-220F TO-220 TO-262 TO-263 TO-247 DFN8×8	650	20	2.5-3.5	0.17	38.5
MPSA65M180CFD	TO-220F	650	20	3-5	0.18	42
	TO-220F	650	16.8	2-4	0.21	40
	TO-263	650	16.8	2-4	0.21	40
	TO-220	650	16.8	2-4	0.21	40
	TO-262	650	16.8	2-4	0.21	40
	TO-220F TO-220 TO-262 TO-263 DFN8×8	650	15	2-4	0.26	27
MPSA65M280CFD	TO-220F	650	15	3-5	0.28	27
MPSC65M280CFD	TO-263	650	15	3-5	0.28	27
	TO-262	650	12.3	2-4	0.32	27
	TO-220F	650	12.3	2-4	0.32	27
	TO-263	650	12.3	2-4	0.32	27
	TO-251	650	12.3	2-4	0.32	27
	TO-252	650	12.3	2-4	0.32	27
	TO-220	650	12.3	2-4	0.32	27
	DFN8×8	650	12.3	2-4	0.32	27
	TO-220F	650	10.4	2-4	0.38	22.6
	TO-252	650	10.4	2-4	0.38	22.6
	TO-220FT	650	10.4	2-4	0.38	22.6
	TO-263	650	10.4	2-4	0.38	22.6
	TO-220	650	10.4	2-4	0.38	22.6
	TO-251	650	10.4	2-4	0.38	22.6
	TO-262	650	10.4	2-4	0.38	22.6
	DFN8×8	650	10.4	2-4	0.38	22.6
	*TO-220F TO-220 TO-251 TO-252 DFN88**	650	11	2.5-4.5	0.39	20
	TO-220F	650	9.2	2-4	0.45	20
	TO-220	650	9.2	2-4	0.45	20
	TO-263	650	9.2	2-4	0.45	20
	TO-262	650	9.2	2-4	0.45	20
	TO-252	650	9.2	2-4	0.45	20
	TO-251	650	9.2	2-4	0.45	20
	TO-220F	650	7.6	2-4	0.55	16
	TO-251	650	7.6	2-4	0.55	16
	TO-252	650	7.6	2-4	0.55	16
	TO-263	650	7.6	2-4	0.55	16
	TO-262	650	7.6	2-4	0.55	16
	TO-220F	650	6.7	2-4	0.64	14
	TO-220	650	6.7	2-4	0.64	14
	TO-252	650	6.7	2-4	0.64	14
	TO-263	650	6.7	2-4	0.64	14
	TO-262	650	6.7	2-4	0.64	14
	TO-251	650	6.7	2-4	0.64	14
	DFN8×8	650	6.7	2-4	0.64	14
	*TO-220F TO-220 TO-251 TO-252 DFN88**	650	8	2.5-4.5	0.65	13.4
	TO-220F TO-220 TO-251 TO-252	650	6	2.5-4.5	0.81	10.4
	TO-262	650	5.5	2-4	0.83	11.2
	TO-251	650	5.5	2-4	0.83	11.2
	TO-220F	650	5.5	2-4	0.83	11.2
	TO-252	650	5.5	2-4	0.83	11.2
	TO-263	650	5.5	2-4	0.83	11.2
	TO-220F TO-220 TO-251 TO-252	650	4	2.5-4.5	0.99	8.8
	TO-220F	650	4.8	2-4	1	9.3
	TO-252	650	4.8	2-4	1	9.3
	TO-251	650	4.8	2-4	1	9.3
	TO-220F	650	3	2.5-3.5	1.5	5.5
	TO-251	650	5	2.5-3.5	1.6	5.5
	TO-252	650	5	2.5-3.5	1.6	5.5
	TO-220F	650	5	2.5-3.5	1.6	5.5
	TO-220F TO-220 TO-262 TO-263 TO-247	700	20	2-4	0.19	38.5
MPSA70M200CFD	TO-220F	700	20	3-5	0.2	42
MPSX70M290	TO-220F TO-220 TO-262 TO-263	700	15	2-4	0.29	27
MPSA70M300CFD	TO-220F	700	15	3-5	0.3	27
MPSC70M300CFD	TO-263	700	15	3-5	0.3	27
	TO-263	700	11.6	2-4	0.36	27
	TO-220F	700	11.6	2-4	0.36	27
	TO-252	700	11.6	2-4	0.36	27
	TO-251	700	11.6	2-4	0.36	27
	TO-220F	700	11	2-4	0.42	22.6
	TO-252	700	11	2-4	0.42	22.6
	TO-263	700	11	2-4	0.42	22.6
	TO-251	700	11	2-4	0.42	22.6
	TO-220F	700	7.3	2-4	0.6	16
	TO-252	700	7.3	2-4	0.6	16
	TO-251	700	7.3	2-4	0.6	16
	TO-220F	700	6.4	2-4	0.71	14
MPSD70M710B	TO-252	700	6.4	2-4	0.71	14
	TO-252	700	5.2	2-4	0.91	11.2
	TO-220F	700	4.5	2-4	1.1	9.3
	TO-251	700	4.5	2-4	1.1	9.3
	TO-252	700	4.5	2-4	1.1	9.3
	TO-251	700	5	2.5-3.5	1.5	5.5
	TO-252	700	5	2.5-3.5	1.5	5.5
	TO-220F	700	5	2.5-3.5	1.5	5.5
	TO-220F	800	18	2-4	0.25	43
	TO-247	800	18	2-4	0.25	43
MPSA80M380B	TO-220F	800	13	2-4	0.38	29
MPSD80M380B	TO-252	800	13	2-4	0.38	29
MPSA80M670B	TO-220F	800	8	2-4	0.67	17.4
MPSD80M670B	TO-252	800	8	2-4	0.67	17.4
MPSA80M850B	TO-220F	800	6.6	2-4	0.85	13.7
MPSD80M850B	TO-252	800	6.6	2-4	0.85	13.7

IGBT module

芯长征拥有车规级模组产线，工艺技术全面，覆盖所有焊接式产品和部分压接式产品，工艺技术和封装设备满足光伏、风力发电和汽车行业所需模块封装需求，为高可靠性模块预置了超声波焊接、铜线键合等工艺；新型AlSiC、SiN等材料逐渐用于车用模块。

芯长征目前大规模量产的模块采用自主设计的第四代沟槽栅场截止(Trench FS) IGBT芯片，并将逐步推出采用第六代和第七代沟槽栅场截止IGBT芯片的模块，实现更低的损耗、更高的功率密度和更高的工作结温(175℃)。

产品特点

·高可靠性，极佳的功率循环和温度循环能力；

·高功率密度和工作结温；

·关键参数一致性好，易于并联使用；

·采用先进的槽栅场截止(Trench FS) IGBT芯片，具有静态参数、动态参数和短路参数的良好折中特性

产品

Part Number	VCE(V)	Ic(A)@ 100℃	VCE(sat)(V) @25℃ typ	Eon(mJ)	Eoff(mJ)	Package
Part Number	VCE(V)	Ic(A)@ 100℃	VCE(sat)(V) @25℃ typ	Eon(mJ)	Eoff(mJ)	Package
MPFF100R07RBF	650	100	2	3.2	1.6	34mm module
MPFF150R07RBF	650	150	2.1	4.3	3.1	34mm module
MPFF200R07RBF	650	200	2.2	5.8	5.1	34mm module
	1200	40	1.9	3.3	1.4	34mm module
	1200	50	2.1	3.7	1.6	34mm module
	1200	75	2	5.4	4.1	34mm module
MPFF100R12RB‍F	1200	100	1.95	8.68	5.56	34mm module
MPFF100R12RB	1200	100	1.95	6.87	5.44	34mm module
	1200	150	2	19.3	14.4	34mm module
	1200	150	2	13.4	8.5	62mm module
	1200	150	1.95	5.6	8.7	62mm module
	1200	150	2	3.6	8.7	34mm module
MPFF200R12RB	1200	200	1.97	22.7	17.1	34mm module
	1200	200	2	2	12.1	62mm module
	1200	200	2	8.8	13.6	62mm module
	1200	300	2.05	13.7	21.7	62mm module
	1200	400	1.9	27.8	38.9	62mm module
MPFF450R12MBF	1200	450	2.18	84.2	47.7	EconoDual
MPFF600R12MBF	1200	600	2.2	127.4	84.4	EconoDual
MPFF300R17MBF	1200	300	1.95	70.5	62.4	62mm module
MPFF450R17MBF	1200	450	2.4	159.7	94	EconoDual

IPM

作为优秀的智能功率模块设计和供应商，芯长征致力于推广高性能、高稳定性和极具价格竞争力的系列IPM产品

应用于风机类的小功率电机驱动IPM是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路；其内置了6个快恢复功率MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路，内部集成了欠压保护功能；应用于较低功率的变频驱动IPM，其内置了3相全桥高压栅极驱动电路和6个低损耗IGBT和FRD，内部集成了欠压、短路、过温等各种保护功能，提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围，而且每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。在封装方面，采用了高绝缘、易导热和高可靠性的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机的应用和要求紧凑安装的场合。

产品特点

·内置6个快恢复功率MOS管或IGBT+FRD，内置高压栅极驱动电路，内置欠压保护，过流保护，过温保护等;

·完全兼容3.3V和5V的MCU的接口，高电平有效;

·内置带限流电阻的快恢复自举二极管，良好的热稳定性，绝缘级别1500Vrms/min

产品

Part Number	Switch Type	VDS(V)/ VCE(V)	ID(A)@25℃/ IC(A)@100℃	Power range(w) @f=20KHZ	Viso	Package
	MOSFET	600	3	50—100	1.5KV	DIP23H/SOP23H
	MOSFET	600	7	80—150	1.5KV	DIP23H/SOP23H
MPBM10N60B	IGBT	600	10	300—700	1.5KV	DIP-24
	IGBT	600	15	700—1300	1.5KV	DIP-24

FRD

快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短等特点的二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中

芯长征FRD 采用先进的寿命控制技术，兼备较低的VF和优异的反向恢复损耗，关注FRD在浪涌能力上的提升，优化FRD的软度因子，使其更加适合于变频应用电路中.

产品特点

·较低的VF；

·低的反向恢复电荷Qrr；

·高的浪涌能力IFSM

产品

Part Number	Package	VRRM (V)	IF(AV) (A)	VFM (V) @25℃		IRM (μA) @25℃		Polarity
Part Number	Package	VRRM (V)	IF(AV) (A)	typ	max	typ	max	Polarity
	TO-3P-3L	200	*252**	1.05	-	-	5	共阴
	TO-3P-3L	200	*202**	0.9	-	-	4	共阴
	TO-3P-3L	200	*352**	0.86	-	-	5	共阴
	TO-3P-3L	200	*302**	0.98	1.1	-	10	共阴
	TO-3P-3L	300	*302**	0.95	1.2	-	4	共阴
	TO-3P-3L	400	*402**	-	1.5	-	10	共阴

PIM

产品特点

·高可靠性，极佳的功率循环和温度循环能力；

·高功率密度和工作结温；

·关键参数一致性好，易于并联使用；

·采用先进的槽栅场截止(Trench FS) IGBT芯片，具有静态参数、动态参数和短路参数的良好折中特性

产品

Part Number	VCE(V)	Ic(A)@80℃	VCE(sat)(V) @25℃ typ	Eon(mJ)	Eoff(mJ)	Package
MPFP15R12WBF	1200	15	2	1.62	0.68	Easy 1B
MPFB15R12WBF	1200	15	2	1.62	0.68	Easy 1B
MPFP25R12EBF	1200	25	2.09	3.38	1.25	Easy 2B
MPFP40R12EBF	1200	40	1.9	2.41	2.45	Easy 2B
MPFP15R12CBF	1200	15	1.93	3.75	0.88	EconoPIM™2
MPFP40R12CBF	1200	40	1.98	6.4	2.8	EconoPIM™2
MPFP40R12FBF	1200	40	2.23	10.1	2.3	EconoPIM™2
MPFP25R12CBF	1200	25	1.98	4.25	1.64	EconoPIM™2
MPFP25R12FBF	1200	25	1.99	4.9	1.7	EconoPIM™2
MPFP50R12FBF	1200	50	2.25	15.8	3.49	EconoPIM™2
MPFP50R12DBF	1200	50	1.9	22.39	4.89	EconoPIM™2
MPFP50R12TBF	1200	50	1.94	24.4	4.93	EconoPIM™2
MPFP75R12TBF	1200	75	1.92	9.06	4.21	EconoPIM™3
MPFP75R12DBF	1200	75	1.98	8.2	4.9	EconoPIM™3
MPFS100R12DBF	1200	100	1.81	2.23	6.9	EconoPIM™3
MPFP100R12DBF	1200	100	1.93	26.2	8.1	EconoPIM™3
MPFS150R12DBF	1200	150	1.89	2.96	10.26	EconoPIM™3
MPFP150R12DBF	1200	150	1.9	21.24	11	EconoPIM™3
MPFS200R12DBF	1200	200	1.85	4.04	19.1	EconoPIM™3

SGT MOSFET

SGT MOSFET又名屏蔽栅MOSFET，是一种采用电荷耦合技术来实现极低导通压降的单极性功率器件，是一种非常适合中低压应用的高性能器件。

芯长征科致力于开发高性能SGT MOSFET产品，目前覆盖40V~200V，最大电流达到300A，并且通过优化器件寄生电容，实现了极低FOM (RDSON*Qg) 优值产品。

产品特点

·低导通电阻，低FOM(RDSON*Qg)，高EAS能力

产品

Part Number	Package	VDSS(V)	ID(A)@25℃	V(GS)th(V)@250μA		RDS(on)(mΩ) 25℃ Max		QG(nC)
Part Number	Package	VDSS(V)	ID(A)@25℃	Min	Max	@VGS=10V	@VGS=4.5V	QG(nC)
	TO-251	100	94	1.1	2.3	8.5	11	46
MPGD10R7	TO-252	100	94	1.1	2.3	7	9.5	50

Trench MOSFET

Trench MOS是一种传统沟槽功率器件，具有高可靠性和高性价比，主要适用于中低压场合，尤其是在低压领域具有极高的性价比优势。

芯长征科技采用先进的沟槽技术进一步降低了传统trench MOSFET的导通电阻和FOM(RDSON*Qg)，充分将器件性能提高到硅极限水平，目前主要产品电压覆盖20V~100V产品系列。主要应用于DC-DC，电池管理系统、LED、电机驱动等等。

产品特点

·低导通电阻，低FOM，高EAS能力，高性价比

产品

Part Number	Package	VDSS(V)	ID(A)@25℃	V(GS)th(V)@250μA		RDS(on)(mΩ) 25℃ Max		QG(nC)
Part Number	Package	VDSS(V)	ID(A)@25℃	min	max	@VGS=10V	@VGS=4.5V	QG(nC)
	SOT23-3L	60	3	1.3	2.4	80	100	16
	SOT23-3L	100	2	1.2	2.5	240	-	10
	TO-220F 、TO-220 、TO-263、 TO-247	68	88	2	4	8	-	65
	TO-252-4L	±40	-15～22	1.2	2.5	18	25	24